Booster etch 2.0
Developments in Microwave Induced Plasma to enter the next phase of industry adoption of MIP for failure analysis and reliability testing of semiconductor devices
Booster Etch 2.0 ontwikkelt een nieuwe generatie plasma-gebaseerde technologie voor het openen van halfgeleiderpackages. Door gebruik van Microwave Induced Plasma (MIP) wordt een veilig en schoon alternatief geboden voor chemische methoden. Het project versnelt het proces aanzienlijk en draagt bij aan betrouwbare analyses én duurzamere productie in de halfgeleiderindustrie.
Innovatieve plasmatechnologie voor geavanceerde halfgeleideranalyse
Het project richt zich op het significant verhogen van de snelheid van het MIP-decapsulatieproces door optimalisatie van plasma-etsmechanismen en innovatieve zuurstofinjectie. Door het vergroten van de effectieve etszone en het verhogen van de massa-etsrate wordt een versnelling met een factor vier nagestreefd. Dit maakt grootschalige industriële toepassing mogelijk en ondersteunt de transitie naar veilige, reproduceerbare en chemievrije analysemethoden.