Door toenemende digitalisering neemt de wereldwijde vraag naar computerchips toe. De semiconductorindustrie heeft behoefte aan betrouwbare lithografiemachines met hoge throughput, hoge yield en lage kosten om te kunnen voorzien in deze vraag. In de EUV-machines wordt onder invloed van EUV een waterstof plasma gegenereerd ter voorkoming van koolstof groei op de optiek. Door toename in EUV-vermogens wordt de dichtheid van het plasma hoger.

Doel 1: meer kosteneffectieve testfaciliteiten

Als een consequentie, worden constructiematerialen en de optiek van de scanner blootgesteld aan hogere intensiteit aan ionenfluxen, radicalen en EUV-fotonen. Deze hogere intensiteiten beïnvloeden de functionele levensduur van deze componenten. Het functioneel testen van materialen en componenten in gecontroleerde EUV- en plasmaomgevingen overeenkomstig de scanner condities is een vereiste, maar testfaciliteiten met EUV-fotonen zijn schaars, complex en duur. Het eerste doel van dit project is om te onderzoeken of het mogelijk is om met alternatieve, meer kosteneffectieve testfaciliteiten de eigenschappen van EUV-fotonen en EUV gegenereerd plasma na te bootsen met behulp van elektronenbundels. Het onderzoek richt zich op de overeenkomst tussen plasma gegenereerd door elektronen en plasma gegenereerd door EUV-fotonen. Daarnaast wordt er fundamentele kennis opgebouwd over de rol van EUV-fotonen en waterstof plasma in de door EUV opgewekte materiaal degradatieprocessen.