Het voortdurend verbeteren van de apparatuur voor de productie van halfgeleiders is essentieel voor de productie van geavanceerde chips, in het bijzonder voor SiC-halfgeleiders voor de volgende generatie power devices welke een cruciale rol zullen spelen in de energietransitie en duurzaamheid, digitalisering en slimme industrie, en de circulaire economie.
SiC-halfgeleiders bieden een aantal voordelen ten opzichte van silicium, waaronder 10x de elektrische break down veldsterkte, 3x de bandafstand en thermische geleidbaarheid, en maakt een breder scala aan p- en n-type controle mogelijk. Dit resulteert in baanbrekende prestaties die niet mogelijk zijn met silicium, waardoor SiC de meest haalbare opvolger is voor de volgende generatie power devices.